CVI-PIP工艺制备C/SiC复合材料及其显微结构研究

• 作者: 张玉娣 张长瑞
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相渗透 先驱体浸渍裂解 C/SiC复合材料 显微结构
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 657-659
• 页数: 3页
• 分类号: TB332
• 字数: 2287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2004.05.009

摘要

采用化学气相渗透(CVI)与先驱体浸渍裂解(PIP)两种工艺方法联用制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较,复合材料的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,结果表明:采用CVI-PIP联用的方法制备C/SiC复合材料,致密化程度有明显的提高.CVI沉积SiC基体结晶性较好,为典型的β-SiC晶体结构;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院	138	1800	24.0	32.0
2	张玉娣	国防科技大学航天与材料工程学院	22	269	8.0	16.0