InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

• 作者: 刘祥林 董逊 黎大兵
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAlN 生长 光学性质 低维结构 铟聚集
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: O472|TN312.8
• 字数: 2057字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.002

摘要

研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880 ℃, 其In组分随生长温度升高而降低. 用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质.光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上.时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区--在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林		1	2	1.0	1.0
2	董逊		1	2	1.0	1.0
3	黎大兵		1	2	1.0	1.0