掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究

• 作者: 刘宝林 康凌 潘群峰 蔡加法
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN GaN 半高宽 红移 蓝移 黄带
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 266-269
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.006

摘要

采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅GaN材料的光学性质.在室温下,InGaN材料带边峰位置为437.0 nm,半高宽为14.3 nm;GaN材料带边峰位置为363.4 nm,半高宽为9.5 nm.进行变温测量发现,随温度的升高,两种材料的发光强度降低,半高宽增大;GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象,与Varshini公式符合较好;InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移-蓝移-红移现象,这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子-空穴对的形成而造成的无序程度增加有关,对大于140 K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合,符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	潘群峰	厦门大学物理系	3	15	2.0	3.0
3	刘宝林	厦门大学物理系	30	167	9.0	11.0
4	康凌	厦门大学物理系	1	5	1.0	1.0