In离子在掺杂LiNbO3晶体中的占位研究

• 作者: 徐悟生 徐玉恒 李宣东 王岩 许士文
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂铌酸锂晶体 吸收光谱 红外透射光谱 光损伤
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 603-607
• 页数: 5页
• 分类号: O734
• 字数: 3743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.05.014

摘要

测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况.在In3+的掺入量低于阈值3%(摩尔分数)时,In离子占据NbLi4+位;在掺入量高于阈值3%时,In3+占据NbNb位和LiLi位.利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In3+掺入量高于阈值3%时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级.通过In3+的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐玉恒	哈尔滨工业大学应用化学系	70	231	6.0	10.0
5	王岩	哈尔滨工业大学应用化学系	100	727	13.0	23.0
6	徐悟生	哈尔滨工业大学电子科学与技术系	32	150	5.0	10.0
7	许士文	哈尔滨工业大学电子科学与技术系	20	207	8.0	13.0
8	李宣东	哈尔滨工业大学应用化学系	14	171	7.0	13.0