掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

• 作者: 刘国庆 刘金伟 江竹青 陶世荃
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铌酸锂晶体 位错缺陷 侵蚀观测法 散射噪声 体全息存储
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 865-869
• 页数: 5页
• 分类号: O77
• 字数: 3146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.021

摘要

本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑.测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系.并发现掺Zn的Fe:LiNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江竹青	北京工业大学应用数理学院	35	153	7.0	11.0
2	陶世荃	北京工业大学应用数理学院	61	333	11.0	14.0
3	刘国庆	北京工业大学应用数理学院	21	135	7.0	10.0
4	刘金伟	北京工业大学应用数理学院	33	335	9.0	17.0