Ar辅助Al等离子体辐射谱分析

• 作者: 宋一中 贺安之
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子辐射 特征辐射 电子温度 电子密度 谱线半高全宽
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 激光技术应用
• 页码范围: 194-196
• 页数: 3页
• 分类号: O593
• 字数: 1937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2004.03.011

摘要

Nd:YAG脉冲激光聚焦到Al靶表面,烧蚀Al靶,产生Al等离子体.用Ar气作保护气时,将诱发Ar气电离,产生丰富的Ar+离子辐射.文中根据Ar+离子辐射信息,分析了ArⅡ385.06nm、ArⅡ386.85nm、ArⅡ404.29nm等三条谱线的时间分辨行为,计算了Al等离子体离子辐射时期的电子温度;估算了特征辐射时期的电子密度.结果发现:在Al等离子体离子辐射时期,电子温度约1.2～1.9eV,随延迟时间增加,单调递减;在特征辐射时期,电子密度大约是2×1018cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋一中	南京理工大学理学院	12	87	6.0	8.0
5	贺安之	南京理工大学理学院	137	1240	18.0	26.0