呋喃坦啶的吸附伏安法研究

• 作者: 李荫 罗利军 蔡沛祥 谭学才
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 化学
• 关键词: 呋喃坦啶 电化学行为 吸附伏安法
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: O657.14
• 字数: 2683字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2004.02.016

摘要

研究了呋喃坦啶(FDT)在0.1 mol/L HAc-NaAc(pH=4.0)中于悬汞电极(HMDE)上的电化学行为.在-0.1～-0.5 V(vs.SCE)内FDT在悬汞电极上产生一不可逆的还原电流峰,峰电位为-0.28 V(vs.SCE),电流峰具有吸附特性.实验测得电极反应的电子转移数、转移系数和参与电极反应的H+数分别为4、0.63和4.考察了吸附富集时间、扫速和FDT浓度等因素对电极过程的影响.提出了电极反应机理.建立了对FDT测定的吸附溶出伏安法,峰电流与FDT浓度在8.0×10-9～5.0×10-6mol/L范围内呈线性关系,检出限为5.0×10-9mol/L.该法用于片剂中FDT含量的测定,得到满意的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡沛祥	中山大学化学与化学工程学院	94	1085	18.0	25.0
2	李荫	中山大学化学与化学工程学院	12	136	4.0	11.0
3	谭学才	中山大学化学与化学工程学院	26	423	14.0	20.0
4	罗利军	中山大学化学与化学工程学院	8	108	4.0	8.0