NSRL在半导体表面结构的光电子衍射研究

• 作者: 徐彭寿 徐法强 李拥华 潘海斌 邓锐
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子衍射 半导体 表面结构 GaAs GaN
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 650-654
• 页数: 5页
• 分类号: O766
• 字数: 3045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.09.003

摘要

利用角分辨光电发射精细结构(ARPEFS)技术研究了GaAs(001)面,验证了Biegelsen提出的钙双层模型的正确性.拟合结果显示,最外层构成二聚体的两个钙原子沿[110]方向移动聚拢,偏离体材料格位8.3%.同时最外层的钙原子向内收缩2.1%.利用X射线光电子衍射(XPD)实验技术研究了硫钝化方法处理过的GaAs(001)表面结构,确定了钝化的硫原子位于第一层钙原子的桥位上.与钙原子成键的键长为3.62A、键角为61.2°.使用与能量和角度有关的光电子衍射技术并结合多重散射团簇模型计算对A12O3衬底上生长的GaN单晶薄膜表面的极化性质进行了研究,确定了该GaN表面极性为钙在最外层的正极化性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	邓锐	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	6	21	2.0	4.0
3	潘海斌	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	26	230	5.0	15.0
4	徐法强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	41	370	7.0	18.0
5	李拥华	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	7	55	4.0	7.0