C58Si2的几何结构和电子结构研究

• 作者: 吴海平 杨金龙 邓开明
• 来源期刊: 南京理工大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: C58Si2 几何结构 电子结构
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 194-198
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 2680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9830.2004.02.020

摘要

采用密度泛涵BLYP/6-311G和杂化密度泛涵B3LYP/6-311G方法,对C58Si2的几何结构和电子结构进行系统研究.发现在C58Si2的同素异形体中,2个Si原子位于六边形对角位置时(C58Si2-6)比2个Si原子位于五边形对角位置时(C58Si2-5)的能量低0.11 eV,是C58Si2的基态几何结构.C58Si2同C60相比,只是在Si原子附近原子间的间距有较为明显的变化,其它部分基本保持C60的构型.在电子结构方面,由于C58Si2-6具有Cs对称性,所以使原先的能级简并度消除,LUMO能级下降,HOMO能级上升,HOMO与LUMO间的能隙变小;每个Si原子均失去1.122 e的电荷,主要转移到Si-C键上的3个邻近的C原子上,使C58Si2中的Si-C化学键受到极化,束缚能增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓开明	南京理工大学理学院	35	79	5.0	7.0
2	吴海平	南京理工大学理学院	10	44	4.0	6.0
3	杨金龙	中国科技大学选键化学实验室	3	6	1.0	2.0