ZrO2掺杂及其工艺参数的对AC-PDP介质保护膜结晶取向的影响

• 作者: 刘柳 刘纯亮 夏星 范玉峰 郭滨刚
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体显示板 复合介质保护膜 氧化锆 结晶取向
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN141.5
• 字数: 2022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2004.06.012

摘要

在电子束蒸发镀膜工艺条件下,掺杂含量、基板温度和蒸镀速率都会对薄膜的结晶取向产生影响.掺杂含量会影响复合膜层的晶面取向和X射线衍射峰的强度,其中ZrO2掺杂比为0.2时,能获得相对最强的(111)晶面衍射峰.而对于复合介质保护膜的制备工艺,则是较低的基板温度和较高的蒸镀速率条件下,更容易形成(111)的晶面取向;较高的基板温度和较低的蒸镀速率条件下,则更容易形成(200)或(220)的晶面取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纯亮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	124	527	9.0	16.0
2	郭滨刚	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	8	16	2.0	3.0
3	范玉峰	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	4	5	1.0	2.0
4	夏星	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	7	15	3.0	3.0
5	刘柳	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	11	55	3.0	7.0