制备GaAs激光窗口材料的一种新型补偿掺杂剂

• 作者: 屠海令 黎建明
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 激光窗口 补偿掺杂
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 554-557
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.029

摘要

用氧化铬(Cr2O3)作补偿掺杂剂、 LEC法生长的GaAs窗口晶体,容易满足高阻补偿条件,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料.补偿掺杂剂氧化铬(Cr2O3)剂量为99.9999% Ga和99.9999% As量的优选范围是0.01%～0.04% (质量分数).室温下的自由载流子浓度低于5×106 cm-3,对光吸收系数的贡献可以忽略.轻掺氧化铬高阻GaAs晶体具有良好的红外透射特性; 10.6 μm处激光量热法测量的红外光吸收系数约为 1.4×10-3 cm-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令	北京有色金属研究总院红外光学材料所	42	224	8.0	12.0
2	黎建明	北京有色金属研究总院红外光学材料所	14	61	5.0	7.0