一种GaAs PHEMT器件的失效分析

• 作者: 祝进专 胡国俊
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs PHEMT 失效分析
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 624字
• 语种: 中文

摘要

随着GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)器件的广泛应用，器件的可靠性及失效分析方法越来越受到人们的重视。该文采用半导体参数分析仪、聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDX)等分析方法对一种PHEMT器件进行失效分析，为实际生产和加工过程中的失效分析提供了参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡国俊	中国电子科技集团公司第三十八研究所	9	14	2.0	3.0
2	祝进专	中国电子科技集团公司第三十八研究所	2	0	0.0	0.0