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摘要:
本文采用Mossbauer谱学方法以及其它手段对FeCuNbSiB薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨.研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α一FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变化样品中磁矩分布方向会发生重取向.由制备态到570℃退火温度期间,薄膜样品磁矩取向发生由平行于平面为主变为垂直为主,而后再转变为平行为主.这些因素对多层膜巨磁阻抗效应的变化会产生重要影响,尤其当磁矩在垂直于平面方向分布占优势时,磁阻抗效应会显著下降.
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文献信息
篇名 铁基纳米微晶薄膜巨磁阻抗效应的Mossbauer研究
来源期刊 核技术 学科 物理学
关键词 巨磁阻抗效应 Mossbauer谱 Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄膜 磁矩
年,卷(期) 2004,(10) 所属期刊栏目 低能加速器技术、射线技术及应用
研究方向 页码范围 754-757
页数 4页 分类号 O484
字数 2510字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.10.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 袁望治 华东师范大学物理系 29 139 6.0 9.0
2 阮建中 华东师范大学物理系 31 145 6.0 10.0
3 赵振杰 华东师范大学物理系 57 324 8.0 16.0
4 杨燮龙 华东师范大学物理系 43 398 10.0 18.0
5 李晓东 华东师范大学物理系 8 28 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
巨磁阻抗效应
Mossbauer谱
Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄膜
磁矩
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核技术
月刊
0253-3219
31-1342/TL
大16开
上海市800-204信箱
4-243
1978
chi
出版文献量(篇)
4560
总下载数(次)
14
总被引数(次)
18959
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