纳米晶FeCuNbSiB带材巨磁阻抗效应研究

• 作者: 周勇 周志敏 张彬 曹莹
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 巨磁阻抗效应 纳米晶带材 微机电系统
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+3
• 字数: 1940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.02.010

摘要

采用微机电系统(MEMS)技术,在玻璃基片上制备了单层结构500 ℃退火的FeCuNbSiB带材样品.在1～40 MHz下,研究了带材的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场强度以及交流电流频率的变化关系.结果表明:纵向、横向巨磁阻抗效应变化率(GMI值)在5 MHz、1.2 kA/m和5 MHz、8 kA/m时,分别达到最大值15.6%和10.6%.