集成化单电子器件研究进展

• 作者: 朱樟明 杨银堂 王帆 翟艳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子器件 库伦阻塞 量子点 单电子存储器 单电子静电计
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 772-776
• 页数: 5页
• 分类号: TN452
• 字数: 3483字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.04.056

摘要

传统MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构.本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用,最后指出了单电子器件的新发展方向及所面临的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	王帆	西安电子科技大学微电子研究所	4	27	2.0	4.0
4	翟艳	西安电子科技大学微电子研究所	4	33	3.0	4.0