我国光掩模发展的过去和现状

• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 数字集成电路 发展回顾 光掩模 掩模制作 硅片材料 掩模制造 特征尺寸 微米 光刻机 掩模技术
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 65-66,64
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文

摘要

一、我国光掩模技术的发展回顾我国的光掩模制作始于60年代中期,比国外晚5~6年.当年采用传统的照相术及手摇光刻机开展工作,硅片材料只有1英寸~2英寸,制版光刻精度和特征尺寸为几十微米.利用当时的掩模制作工艺,先后成功地研制出硅平面晶体管和硅数字集成电路.70年代,我国开始引进一批大型绘图机、大型照相机和可在超微粒干版上曝光的e线分步重复精缩机.这时采用的硅片材料为2英寸~3英寸,制版光