铌硅化合物氧化行为的X射线衍射分析

• 作者: 叶长青 吴建生 周健威 姜传海
• 来源期刊: 理化检验-物理分册
• 学科: 工学
• 关键词: 铌硅化合物 氧化行为 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: TG115.23
• 字数: 1348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4012.2004.01.004

摘要

利用原位X射线衍射技术,研究了Nb5Si3-66%NbSi2和NbSi2的中温氧化行为及氧化层物相结构.结果表明,随着含硅量增加,材料抗氧化能力加强,其中NbSi2氧化反应速度较慢.在氧分压较低情况下,NbSi2氧化后同时生成Nb2O5及NbO氧化物.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建生	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室	141	1402	19.0	30.0
2	姜传海	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室	46	243	9.0	13.0
3	周健威	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室	4	38	3.0	4.0
4	叶长青	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室	4	38	3.0	4.0