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摘要:
将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的14MeV中子脉冲对探测器进行了研究. 结果表明:PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射转换靶,探测器的信噪比达到30∶1,是一种在中子、γ混合脉冲辐射场中测量脉冲中子的新型探测器.
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文献信息
篇名 对γ不灵敏的PIN脉冲中子探测器
来源期刊 高能物理与核物理 学科
关键词 PIN探测器 脉冲中子测量 n,γ混合辐射场
年,卷(期) 2004,(7) 所属期刊栏目 探测器与实验方法
研究方向 页码范围 744-748
页数 5页 分类号
字数 2839字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0254-3052.2004.07.012
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研究主题发展历程
节点文献
PIN探测器 脉冲中子测量 n,γ混合辐射场
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期刊影响力
高能物理与核物理
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