SiO2掺杂稳定ZrO2界面Si-O-Zr键形成的量子化学研究

• 作者: 周春华 尹衍升 王道平 陈守刚
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氧化硅 氧化锆 界面 红外光谱 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 666-670
• 页数: 5页
• 分类号: TQ134|O664
• 字数: 3494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.06.002

摘要

依据SiO2掺杂稳定ZrO2溶液中可能存在的各种生长基元及界面反应产物的团簇模型,利用密度泛函理论计算获得了各团簇的结构参数、原子的Mulliken电荷分布、红外活性振动光谱和反应的Gibbs自由能.理论红外光谱分析证实了SiO2/ZrO2界面Si-O-Zr键的形成,同时发现460 cm-1左右的特征峰不应归为链状Si-O-Si键的振动,而应是环状Si-O-Si键的振动光谱.此外,Mulliken电荷分布和热力学研究表明:SiO2掺杂稳定的ZrO2四方到单斜相变温度和相变临界尺寸的增加是由于界面Si-O-Zr键的形成降低了与邻近锆配位羟基氧的电荷所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹衍升	中国海洋大学材料科学与工程研究院	126	1834	23.0	35.0
3	周春华	山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室	10	190	7.0	10.0
7	陈守刚	中国海洋大学材料科学与工程研究院	32	254	9.0	15.0
13	王道平	中国海洋大学材料科学与工程研究院	6	13	1.0	3.0