ZnO压敏陶瓷反射光谱的研究

• 作者: 向锋 李心平
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 烧结温度 反射光谱
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 641-644
• 页数: 4页
• 分类号: TM283
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2004.06.023

摘要

利用简便的粉末反射光谱法,测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱,并对其影响机理进行了探讨.研究结果表明,同纯ZnO相比,压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移,红移量随烧结温度的提高而增大;吸收边斜率随着烧结温度升高而变小.吸收边的变化是烧结过程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互扩散随温度变化的结果.高温烧结的试样在波长为566 nm、610 nm、650 nm处存在光反射谷,反射强度随烧结温度升高而降低.烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因,缺陷类型与温度变化无关,浓度随烧结温度的升高而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	向锋	西安交通大学电子与信息工程学院	1	6	1.0	1.0
2	李心平	西安交通大学电子与信息工程学院	1	6	1.0	1.0