声表面波用压电晶体的新进展

• 作者: 夏宗仁 张爱琼 徐家跃 武安华 范世(马山豆) 陆宝亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 压电 坩埚下降法 晶体生长 黑片 声表面波
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 553-558
• 页数: 6页
• 分类号: O799
• 字数: 997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.019

摘要

报道了我们在Li2B4O7、Sr3Ga2Ge4O14、LiNbO3、LiTaO3等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展.采用改进型坩埚下降法成功生长了直径3～4英寸的Li2B4O7晶体,并实现了批量生产.作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一,Sr3Ga2Ge4O14晶体具有最大的压电系数.报道了直径2英寸Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长结果,测试了该晶体的压电性能.在CO2(90%)、H2(10%)混合气氛中,分别在700℃和450℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理,成功制备了3英寸LN和LT低静电黑片,不仅减少了器件制作工序,而且使成品率提高了5～8百分点.此外,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3晶体,观察到一些新的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武安华	中国科学院上海硅酸盐研究所	26	110	7.0	9.0
2	徐家跃	中国科学院上海硅酸盐研究所	47	396	12.0	17.0
3	范世(马山豆)	中国科学院上海硅酸盐研究所	4	31	3.0	4.0
4	陆宝亮	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	55	5.0	7.0
5	张爱琼	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	28	4.0	5.0