铝离子注入Si3N4陶瓷的抗氧化性能

• 作者: 冯建基 刘洪泽 周新贵 张长瑞 李国卿 牟宗信 齐民
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 离子注入 氧化 铝
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 页码范围: 1060-1063
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.2
• 字数: 2178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.09.004

摘要

针对高精密氮化硅陶瓷器件的需求,采用金属蒸发真空电弧离子注入机进行金属Al+3注入Si3N4,并对其抗氧化性能进行了研究.注入能量为40 keV,注入剂量分别为5×1016 ion/cm2和2×1017 ion/cm2.在1 200 ℃,长达77 h,对Si3N4的循环氧化行为进行了实验研究.用SEM,XRD和EDS等方法对样品进行了观察和分析.结果表明:Al+3注入提高了Si3N4样品的抗氧化性能,氧化质量变化符合抛物线规律.原始Si3N4样品的氧化层较厚,与基体有较明显的分层现象;注入铝的Si3N4试样氧化层较薄和致密,与基体没有明显的分层现象,电子价态分析表明:注入的金属铝形成的氧化铝是提高Si3N4抗氧化性能的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞		138	1800	24.0	32.0
2	周新贵		93	1060	19.0	27.0
3	齐民	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	109	811	16.0	23.0
4	刘洪泽	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	8	30	3.0	5.0
5	李国卿	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	58	411	12.0	16.0
6	冯建基	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	30	3.0	3.0
7	牟宗信	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	38	217	10.0	12.0