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摘要:
采用常规的反应烧结工艺制作铝电解槽侧壁材料用Si3N4/SiC时存在不足,为此,提出应用逆反应烧结工艺进行生产性试验的设想.在制备Si3N4/SiC复合材料时,常规反应烧结是以Si和SiC为原料经氮化烧结;逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料,首先使Si3N4反向反应生成活性氧化物后进行烧结.结果表明:该工艺特点是新生的Si2N2O或SiO2进行活性烧结;制品具有良好的物理和化学性能.制品结构紧密,新生氧化物或亚氧化物紧密地充填在Si3N4和SiC颗粒间界,新工艺制备的砖的抗冰晶石熔体侵蚀的性能优于常规工艺烧成砖,是铝电解槽侧壁的良好材料.
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文献信息
篇名 逆反应烧结制备铝电解槽用氮化硅-碳化硅复合材料
来源期刊 硅酸盐学报 学科 工学
关键词 氮化硅/碳化硅复合材料 铝电解槽 逆反应烧结
年,卷(期) 2004,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1524-1529
页数 6页 分类号 TB321/TQ175
字数 3696字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.12.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 洪彦若 北京科技大学无机非金属材料系 106 951 17.0 21.0
2 孙加林 北京科技大学无机非金属材料系 280 1914 19.0 23.0
3 吴宏鹏 北京科技大学无机非金属材料系 5 33 3.0 5.0
4 王林俊 北京科技大学无机非金属材料系 6 42 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
氮化硅/碳化硅复合材料
铝电解槽
逆反应烧结
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
硅酸盐学报
月刊
0454-5648
11-2310/TQ
大16开
北京市海淀区三里河路11号
2-695
1957
chi
出版文献量(篇)
6375
总下载数(次)
8
总被引数(次)
83235
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导