Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响

• 作者: 傅刚 孟凡明 胡素梅 陈志雄
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钛基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导体
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 页码范围: 1496-1499
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|TN379
• 字数: 2723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.12.010

摘要

研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的圆片试样,各组分摩尔量分别为:x=0.000 75,y=0;x=0.000 375,y=0.000 375及x=0,y=0.000 75.采用电流-电压、电容测量、阻抗分析和势垒高度测量等实验手段,分析了Ta2O5和Nb2O5的作用机理.结果发现,x=0.000 75的样品显示出最低的压敏电压梯度(E10 mA=7.9 V/mm)和最大的表观介电常数(εra=5.88×104),y=0.000 75的样品显示出最高的压敏电压梯度(E10mA=48.9 V/mm)和最小的表观介电常数(εra=1.39×104).这表明,掺Ta2O5可有效地降低压敏电压,提高介电常数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅刚	广州大学固体物理与材料研究实验室	53	174	8.0	11.0
2	陈志雄	广州大学固体物理与材料研究实验室	19	134	6.0	11.0
3	胡素梅	茂名学院技术物理系	31	123	7.0	9.0
4	孟凡明	安徽大学物理与材料科学学院电子材料研究室	46	205	9.0	12.0