二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响

• 作者: 李玲 盛钢 高宏雷 高洁
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 声电电流 二维电子气 分裂门
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 603-607
• 页数: 5页
• 分类号: O421+.6|O424
• 字数: 2810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2004.03.035

摘要

表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴随SAW要产生一个压电运动电势.该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关.作者采用准经典(WKB)近似,研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛钢	四川大学物理科学与技术学院	6	18	2.0	4.0
2	李玲	四川大学物理科学与技术学院	66	169	7.0	10.0
3	高洁	四川大学物理科学与技术学院	49	316	9.0	16.0
4	高宏雷	四川大学物理科学与技术学院	3	6	2.0	2.0