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摘要:
表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中可诱导产生声电电流.根据准经典(WKB)近似,计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流,并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响.
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文献信息
篇名 表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流
来源期刊 四川大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 表面声波 准一维电子通道 量子阱 声电电流
年,卷(期) 2004,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 598-602
页数 5页 分类号 O422|O424
字数 2913字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0490-6756.2004.03.034
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 盛钢 四川大学物理科学与技术学院 6 18 2.0 4.0
2 李玲 四川大学物理科学与技术学院 66 169 7.0 10.0
3 高洁 四川大学物理科学与技术学院 49 316 9.0 16.0
4 高宏雷 四川大学物理科学与技术学院 3 6 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
表面声波
准一维电子通道
量子阱
声电电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川大学学报(自然科学版)
双月刊
0490-6756
51-1595/N
大16开
成都市九眼桥望江路29号
62-127
1955
chi
出版文献量(篇)
5772
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10
总被引数(次)
25503
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