SiO2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响

• 作者: 刘姗姗 刘明 孙世菊 徐叙瑢 徐征 滕枫
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 类阴极射线发光 异质结 电子加速
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 页码范围: 790-794
• 页数: 5页
• 分类号: O482
• 字数: 4356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0593.2004.07.006

摘要

研究了有机/无机复合结构ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al器件的类阴极射线发光性质,电子经过SiO2层加速后,激发MEH-PPV层发光.发光除了MEH-PPV激子发光峰外,还有一个带间复合的能量更高的短波发光峰.通过2个发光峰随SiO2层的厚度的变化规律,研究了SiO2对电子的加速能力.