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摘要:
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采用碳纳米管改善GaN HEMT器件结构散热
GaN HEMT
碳纳米管
倒装
散热
碳纳米管制备技术的研究进展
碳纳米管
化学气相沉积法
火焰法
生长机理
纳米碳材料
无机非碳纳米管的合成
一维纳米材料
无机非碳类纳米管
合成
浅谈单壁碳纳米管与多壁碳纳米管的差异
单壁碳纳米管
多壁碳纳米管
差异
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 利用碳纳米管制作的逻辑“非”门器件
来源期刊 科技开发动态 学科 工学
关键词 碳纳米管 逻辑“非”门器件 表面氧化 Si衬底 氧化铝
年,卷(期) 2004,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 46-47
页数 2页 分类号 TN791
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王太宏 中国科学院物理研究所 47 240 9.0 13.0
2 赵继刚 中国科学院物理研究所 7 7 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
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节点文献
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二级引证文献  (0)
2004(0)
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研究主题发展历程
节点文献
碳纳米管
逻辑“非”门器件
表面氧化
Si衬底
氧化铝
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技开发动态
双月刊
1003-014X
CN 11-2681/N
北京市中关村北四环西路33号
出版文献量(篇)
5181
总下载数(次)
14
总被引数(次)
0
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