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摘要:
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采用碳纳米管改善GaN HEMT器件结构散热
GaN HEMT
碳纳米管
倒装
散热
浅谈单壁碳纳米管与多壁碳纳米管的差异
单壁碳纳米管
多壁碳纳米管
差异
碳纳米管-铜复合粉的制备
碳纳米管
复合材料
粉体
碳纳米管的力学行为
碳纳米管
力学性能
实验研究
原子势
分子动力学模拟
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 碳纳米管“或否”逻辑器件
来源期刊 科技开发动态 学科 工学
关键词 碳纳米管 “或否”逻辑器件 Si衬底 氧化铝
年,卷(期) 2004,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 46
页数 1页 分类号 TN791
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王太宏 中国科学院物理研究所 47 240 9.0 13.0
2 赵继刚 中国科学院物理研究所 7 7 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
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节点文献
引证文献  (0)
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二级引证文献  (0)
2004(0)
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研究主题发展历程
节点文献
碳纳米管
“或否”逻辑器件
Si衬底
氧化铝
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技开发动态
双月刊
1003-014X
CN 11-2681/N
北京市中关村北四环西路33号
出版文献量(篇)
5181
总下载数(次)
14
总被引数(次)
0
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