曝光强度对卤化银微晶中载流子行为及其陷阱效应的影响

• 作者: 代秀红 傅广生 刘荣鹃 李晓苇 杨少鹏 江晓利
• 来源期刊: 感光科学与光化学
• 学科: 工学
• 关键词: 电子陷阱 复合中心 曝光强度 光电子 光空穴 卤化银
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 21-28
• 页数: 8页
• 分类号: TQ57
• 字数: 4217字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-0475.2005.01.004

摘要

针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题,分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响,认为伴随着曝光强度的增加,影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓苇	河北大学物理科学与技术学院	136	473	10.0	13.0
2	杨少鹏	河北大学物理科学与技术学院	60	217	8.0	12.0
3	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
4	江晓利	河北大学物理科学与技术学院	15	31	3.0	5.0
5	代秀红	河北大学物理科学与技术学院	28	22	3.0	3.0
6	刘荣鹃	河北大学物理科学与技术学院	5	11	3.0	3.0