金属氧化物气体传感器阵列的制备

• 作者: Harald Boettner Martin Jaegle 李松
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体金属氧化物 气体传感器 传感器阵列 SnO2
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 2205字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2005.01.009

摘要

利用薄膜技术制作的半导体金属氧化物气体传感器阵列是由一个基底上的四个传感器单元组成的.基本结构是在4英寸的硅片上制作完成的. 首先,沉积金属铂电极,加热棒和温度传感器.其次,沉积半导体金属氧化物SnO2.然后进行传感器阵列电极的焊接,封装.最后进行测量,测量结果显示了传感器阵列对不同气体甲烷(CH4),一氧化碳(CO),氢气(H2),二氧化氮(NO2)和氨气(NH3)的响应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李松	天津大学精仪学院	21	179	9.0	13.0