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摘要:
设计制作了一种基于10 Gbit/s应用的正照平面结构的InGaAs/InP PIN 高速光电二极管. 该器件带宽达到19 GHz,响应度>0.75 A/W,暗电流<5 nA,结电容<0.15 pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1 310 nm和1 550 nm波长光的探测.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 基于10 Gbit/s应用长波长光电二极管
来源期刊 深圳大学学报(理工版) 学科 工学
关键词 光电二极管 高速光电探测器 PIN光电二级管
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目 光电与信息工程
研究方向 页码范围 319-323
页数 5页 分类号 TN312+4
字数 3052字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-2618.2005.04.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曹均凯 2 4 1.0 2.0
2 王国栋 2 4 1.0 2.0
3 镇磊 1 1 1.0 1.0
4 梁泽 2 3 1.0 1.0
5 潘青 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
光电二极管
高速光电探测器
PIN光电二级管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
深圳大学学报(理工版)
双月刊
1000-2618
44-1401/N
大16开
深圳市南山区深圳大学行政楼419室
46-206
1984
chi
出版文献量(篇)
1946
总下载数(次)
10
总被引数(次)
10984
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
论文1v1指导