基于2.5 Gbit/s应用长波长雪崩光电二极管

• 作者: 张伟 曹均凯 李小兵 李连城 王国栋
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光电二极管 雪崩倍增 倍增因子 光电探测器 光纤通信
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 光电与信息工程
• 页码范围: 69-74
• 页数: 6页
• 分类号: TN312+.4|TN312+.7
• 字数: 4050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2618.2007.01.014

摘要

设计并制作一种基于2.5 Gbit/s应用的分离吸收区和倍增区结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD),该APD具有低击穿电压VRR(典型值为40 V)和低暗电流(反偏电压为0.9 VBR时典型值为1 nA)的显著特点,适合低工作电压的应用场合,如小型化的SFP和SFF光通信模块.组件测试结果表明,该APD具有高的饱和光功率和灵敏度,适用于2.5 Gbit/s及以下光通信及测量系统中对1310 nm/1550 nm波长光的探测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹均凯		2	4	1.0	2.0
2	王国栋		2	4	1.0	2.0
3	李小兵		1	3	1.0	1.0
4	李连城		1	3	1.0	1.0
5	张伟		1	3	1.0	1.0