La,V掺杂对Sr2Bi4Ti5O18性能影响对比研究

• 作者: 卢网平 张增平 陈小兵
• 来源期刊: 扬州大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: Sr2Bi4Ti5O18 掺杂 剩余极化 晶格畸变 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: O482.54|TM271.4
• 字数: 2272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-824X.2005.02.008

摘要

采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.000～1.000,0.000～0.096的La,V掺杂Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷.X射线衍射结果显示,La,V对Sr2Bi4Ti5O18的A,B位掺杂都未影响材料的晶体结构.La掺杂使得材料的剩余极化2Pr逐渐降低,而V掺杂可以显著地提高2Pr.A位掺杂导致材料的居里温度明显下降,而V取代B位Ti4+离子不影响材料的居里温度.微观照片显示,Sr2Bi4Ti5O18样品由呈四方状的晶粒组成,晶粒较为均匀.La掺杂未改变晶粒的形状,而V掺杂使得晶粒呈现扁平状,且晶粒尺寸明显增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈小兵	扬州大学物理科学与技术学院	56	224	8.0	11.0
2	卢网平	扬州大学物理科学与技术学院	9	67	4.0	8.0
3	张增平	扬州大学物理科学与技术学院	8	103	3.0	8.0