MgB2超导体的正电子湮没研究

• 作者: 常方高 李喜贵 李涛 葛永霞 路庆凤
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2超导体 正电子湮没 结构缺陷
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 908-913
• 页数: 6页
• 分类号: O51
• 字数: 2903字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.099

摘要

本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常方高	河南师范大学物理与信息工程学院	30	80	5.0	7.0
2	路庆凤	河南师范大学物理与信息工程学院	65	175	9.0	11.0
3	李喜贵	河南师范大学物理与信息工程学院	41	196	8.0	11.0
4	李涛	河南师范大学物理与信息工程学院	10	28	3.0	5.0
5	葛永霞	河南师范大学物理与信息工程学院	5	10	3.0	3.0