In:Ce:Mn:LiNbO3晶体的全息存储性能

• 作者: 徐玉恒 杨春晖 王锐 许艳波
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟、铈和锰共掺杂铌酸锂晶体 提拉法晶体生长 全息存储
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 页码范围: 939-941
• 页数: 3页
• 分类号: O742+.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.08.005

摘要

原料采用固液同成分配比,在LiNbO3(LN)晶体中掺入质量分数为0.1%CeO2和0.015%MnCO3,摩尔分数分别为0,1%,2%和3%的In,用提拉法生长In:Ce:Mn:LN晶体.测试了In:Ce:Mn:LN晶体的红外透射光谱和抗光损伤能力.结果表明:3%In:Ce:Mn:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3 508 cm-1位置;其抗光损伤能力比Ce:Mn:LiNbO3晶体提高2个数量级以上.利用二波耦合光路测试晶体的写入时间(τw)、擦除时间(τe)和衍射效率(η),计算晶体的动态范围(M#),研究In3+掺量对Ce:Mn:LN晶体光折变性能的影响.结果表明:In:Ce:Mn:LN晶体是比Ce:Mn:LN晶体综合性能更好的全息存储材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐玉恒	哈尔滨工业大学应用化学系	70	231	6.0	10.0
2	杨春晖	哈尔滨工业大学应用化学系	59	300	9.0	14.0
3	王锐	哈尔滨工业大学应用化学系	64	295	9.0	12.0
4	许艳波	哈尔滨工业大学应用化学系	2	5	1.0	2.0