电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响

• 作者: 张立
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非线性光学 半抛物量子阱 密度矩阵方法 电场 折射率改变
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 378-381,385
• 页数: 4页
• 分类号: O431.2
• 字数: 3107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.05.015

摘要

利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素.