半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率

• 作者: 温诚忠 窦玉焕
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非线性光学 半导体物理 阶梯势阱 二阶非线性极化率
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 212-214
• 页数: 3页
• 分类号: O471.3
• 字数: 1833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.2002.02.024

摘要

为优化二次谐波产生器件的性能,研究和开发新的非线性光学材料, 对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究.计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数χ(2)2ω,给出了χ(2)2ω随阱宽、阶梯的高度和宽度、势垒宽度、入射波长等因素变化的规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温诚忠	西南交通大学应用物理系	5	57	2.0	5.0
2	窦玉焕	西南交通大学应用物理系	1	0	0.0	0.0