有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收

• 作者: 张立
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度矩阵方法 吸收系数 内电场
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 538-544
• 页数: 7页
• 分类号: O431.2
• 字数: 989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.05.005

摘要

采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式.以AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN阶梯量子阱为例进行了数值计算.结果发现阶梯量子阱的阱宽Lw、阶梯垒宽Lb、阶梯垒的掺杂浓度x的减小将提高体系的吸收系数.而且,随着LwLb和x减小,吸收光子的能量有明显的蓝移,总吸收系数的半宽度及饱和吸收强度均减小.计算获得的部分结果与最近的实验观察完全一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立	广州番禺职业技术学院电子技术与材料开发研究所	11	18	3.0	3.0