篇名 | Modification of C-implanted c-SiO_2 Induced by Heat Treatment | ||
来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 | 学科 | 工学 |
关键词 | 二氧化硅 热处理 改性 诱导 离子注入剂量 SiO2 真空退火 红外光谱 | ||
年,卷(期) | jdwlyjshlzzlzjsqsysnbywb_2005,(1) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 60-61 | |
页数 | 2页 | 分类号 | TG161 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |