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Modification of C-implanted c-SiO_2 Induced by Heat Treatment
Modification of C-implanted c-SiO_2 Induced by Heat Treatment
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摘要：
推荐文章
采用Ag-Cu-Ti钎料真空钎焊SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料
SiO2f/SiO2复合陶瓷
C/C复合材料
Ag-Cu-Ti
界面反应层
抗剪强度
矩阵C=c1A+c2B的幂等性
幂等矩阵
l-幂等矩阵
线性组合
幂等性
投影算子
生物油加氢脱氧提质中两亲性催化剂Pd/C-SiO2-Al2O3的研究
生物油
苯酚
两亲性介孔材料
加氢脱氧
基于C2C和C2I的智能交通系统
C2I
C2C
信息化
智能交通系统
通信层
路边单元
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
| 篇名 | Modification of C-implanted c-SiO_2 Induced by Heat Treatment | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 二氧化硅 热处理 改性 诱导 离子注入剂量 SiO2 真空退火 红外光谱 | ||
| 年，卷（期） | 2005,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 60-61 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TG161 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
二氧化硅
热处理
改性
诱导
离子注入剂量
SiO2
真空退火
红外光谱
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相关学者/机构
期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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CN：
开本：
出版地：
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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语种：
出版文献量（篇）
1640
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