功率MOSFET发展趋势

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 封装技术 散热结构 场效应器件
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 102
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

近年来，节能成为电源技术的主旋律，如何降低功耗也是功率分立半导体发展的主要驱动力。就功率MOSFET而言，供应商主要通过降低导通电阻和开发新的封装形式来满足新的需求。改进MOSFET性能的关键因素是改善栅极电荷、降低导通阻值RDS(on)，并通过创新封装技术增加单位电流密度。飞兆在开发诸如功率BGA和FLMP(倒装引脚铸模封装)等创新封装技术上已取得实质成果。