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高k绝缘层研究动态
高k绝缘层研究动态
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摘要：
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题.
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研究主题发展历程
节点文献
高k绝缘层
栅结构
栅介质
HfSiON薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
开本：
大16开
出版地：
石家庄市179信箱46分箱
邮发代号：
18-60
创刊时间：
1964
语种：
chi
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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