实验条件对纳米多孔二氧化硅薄膜性能的影响

• 作者: 冯坚 张长瑞 王娟
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米多孔SiO2薄膜 溶胶-凝胶 低介电常数
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 航天工程·材料工程·光电工程
• 页码范围: 16-19,29
• 页数: 5页
• 分类号: TB321
• 字数: 3016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2005.03.004

摘要

以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法 ,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了SiO2薄膜.XRD和AFM表明该SiO2薄膜为无定形态,具有多孔网络结构,表面均匀、平整,其SiO2粒子和孔隙的直径为30～40nm .利用椭偏仪测量了薄膜的厚度和折射率,薄膜的厚度为300～1100nm,折射率为1.13～1.2 3,孔隙率为50%～70%,介电常数为1.9～2.4.SiO2薄膜的厚度随溶剂异丙醇(IPA)用量的减少、催化剂NH4OH用量的增加、SiO2溶胶粘度的增大和旋转涂胶速度的降低而增大; 介电常数随NH4OH用量和SiO2溶胶粘度的增加而降低,IPA用量和旋转速度对SiO2薄膜的介电常数影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院	138	1800	24.0	32.0
2	冯坚	国防科技大学航天与材料工程学院	43	533	13.0	22.0
3	王娟	国防科技大学航天与材料工程学院	20	187	8.0	13.0