PIP工艺制备的C/SiC复合材料的氧化行为

• 作者: 周新贵 张长瑞 曹英斌 邹世钦
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: C/SiC复合材料 先驱体浸渍裂解 氧化保护涂层 氧化行为
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 航天工程·材料工程
• 页码范围: 107-112
• 页数: 6页
• 分类号: TB323
• 字数: 3198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2005.05.023

摘要

PIP工艺制备的C/SiC复合材料中SiC基体富碳,因此增强体和基体均容易氧化.碳纤维和无涂层保护C/SiC复合材料试样在400～1300℃的氧化速率随温度升高而加快,低温为反应控制,高温为扩散控制.CVD-SiC涂层保护C/SiC复合材料和由CVD-SiC层、自愈合层、CVD-SiC层三层涂层保护C/SiC复合材料在400～1300℃的氧化先随温度升高而加快,然后减慢.三层涂层在800～1300℃有非常好的保护效果.扫描电镜照片显示自愈合层的玻璃态物质进入涂层裂纹中,填充裂纹且阻挡氧的通过,从而有良好的抗氧化保护效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院	138	1800	24.0	32.0
2	邹世钦	国防科技大学航天与材料工程学院	11	201	7.0	11.0
3	周新贵	国防科技大学航天与材料工程学院	93	1060	19.0	27.0
4	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院	49	729	16.0	24.0