光折变晶体的光电导及陷阱密度

• 作者: 林晓东 胡居广 阮双琛
• 来源期刊: 光电子技术与信息
• 学科: 物理学
• 关键词: 光折变晶体 光电导 全息光栅 陷阱密度
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与元器件
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: O434.14
• 字数: 1999字
• 语种: 中文

摘要

通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体Cu:KNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10 A·m-2.实验得到光电导与入射光强是指数约为b=0.8的亚线性关系,从而得到满陷阱与空陷阱之密度比的定量表示式为(CCu+/CCu2+)=αIb-1.在观测的波长范围内,b随着波长缩短而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮双琛	深圳大学工程技术学院	144	1167	20.0	25.0
2	林晓东	深圳大学师范学院物理系	21	68	5.0	6.0
3	胡居广	深圳大学师范学院物理系	20	82	5.0	8.0