不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响

• 作者: 易葵 范正修 董磊 赵元安 邵建达
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 均匀性 蒸发源 挖坑效应
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 1518-1522
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2902字
• 语种: 中文

摘要

分析了几种可能的实际蒸发源与薄膜均匀性的关系,其中包括扩展的平面蒸发源和曲面蒸发源.通过实验论证了薄膜均匀性对蒸发源尺寸和蒸发特性的依赖关系.得到的分析结果表明:当蒸发源半径和夹具高度的比值小于1/17时,蒸发源可以被视为一个点面源;大于 1/10时,应当把蒸发源视为面面源进行考虑.当挖坑深度和蒸发源半径的比值介于0和0.5之间时,挖坑对薄膜均匀性造成的影响基本可以忽略;大于0.6时,挖坑效应明显影响薄膜的均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	董磊	中国科学院上海光学精密机械研究所	48	339	11.0	16.0
3	易葵	中国科学院上海光学精密机械研究所	67	518	14.0	18.0
4	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
5	赵元安	中国科学院上海光学精密机械研究所	47	315	11.0	15.0