基于准浮栅技术的超低压运算放大器

• 作者: 付俊兴 任乐宁 杨银堂
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 501-503,527
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2482字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.04.003

摘要

分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μm CMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45 μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	任乐宁	西安电子科技大学微电子研究所	7	35	3.0	5.0
3	付俊兴	西安电子科技大学微电子研究所	7	20	3.0	4.0