高温下Gd2(WO4)3陶瓷电学行为的研究

• 作者: 王豫 羊新胜 董亮
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 伏安特性 三氧化钨 相变
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1913-1916
• 页数: 4页
• 分类号: TB32
• 字数: 2531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.12.017

摘要

采用通常的固相反应工艺制备了Gd2(WO4)3陶瓷,在低场(E＜150 V/mm)下测试了样品的电学行为和介电常数随温度的变化.结果表明:随温度的升高,样品首先呈现出线性的Ohm特征,在250℃以后开始呈现出半导体特征下的非线性电学行为,并且这种非线性随温度的升高而增大;样品的介电常数和损耗因子在320℃～350℃有明显的变化.XRD分析表明:样品中存在Gd2(WO4)3主晶相和W20O58次晶相.用WO3的相变可以简单解释上述实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董亮		10	78	5.0	8.0
2	王豫		15	71	5.0	8.0
3	羊新胜		6	58	4.0	6.0