铌表面固体粉末包埋渗硅研究

• 作者: 乐军 宋力昕 宋学平 李明 郭占成
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 渗硅 涂层 铌 二硅化铌
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 764-768
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.041

摘要

采用固体粉末包埋渗硅工艺在铌表面制备了二硅化铌涂层,研究了渗硅过程中Si沉积的反应机理和二硅化铌涂层的结构.结果表明:涂层由单相的二硅化铌组成;Si的输运和沉积主要依靠硅的低氟化物S讯2完成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭占成	中国科学院过程工程研究所	77	1150	18.0	30.0
2	李明	中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机材料研究发展中心	251	3222	29.0	47.0
3	乐军	中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机材料研究发展中心	9	225	8.0	9.0
4	宋力昕	中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机材料研究发展中心	51	585	15.0	22.0
5	宋学平	中国科学院过程工程研究所	9	104	7.0	9.0