一种二阶曲率补偿带隙基准的研究

• 作者: 刘桂芝 吴国平 黄年亚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 曲率补偿 亚阈区
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 696-698
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.060

摘要

介绍了一种带隙基准曲率的二阶补偿技术,并给出了一款带二阶曲率补偿的基准电路.它利用了MOS管的亚阈区特性来抵消电路中Vbe(T)展开式的二阶项.该电路采用了0.6 μm 2Metal/2Poly CMOS 工艺模型进行了仿真,给出了补偿前后的仿真结果,在-50～120℃范围内温度系数大约为10×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘桂芝		9	80	4.0	8.0
2	吴国平		1	25	1.0	1.0
3	黄年亚		1	25	1.0	1.0